เซมิคอนดักเตอร์ รีเสิร์ช คอร์ปอเรชั่น (SRC) ซึ่งเป็นกลุ่มมหาวิทยาลัยชั้นนำของโลกด้านการวิจัยเซมิคอนดักเตอร์และเทคโนโลยีที่เกี่ยวข้อง ประกาศในวันนี้เกี่ยวกับความสำเร็จของการวิจัยฉนวนที่ประกอบด้วยธาตุโลหะฮาฟเนียม (hafnium) ซึ่งนำไปสู่การขยายกฏของมัวร์ ( Moore 's Law) ได้อย่างมาก ด้วยการเข้าถึงเครือข่ายการวิจัยขนาดใหญ่ของ SRC ซึ่งครอบคลุมบริษัทและหุ้นส่วน 23 แห่งรวมถึง มหาวิทยาลัยกว่า 100 แห่งทั่วโลกนั้น อุตสาหกรรมชิพสามารถใช้ฉนวนที่ผลิตจากฮาฟเนียม เพื่อการก้าวกระโดดที่ยิ่งใหญ่ไปสู่แผนการด้านเทคโนโลยีในเชิงรุก

ความสำคัญของฉนวนที่ผลิตจากฮาฟเนียมสำหรับธุรกิจชิพทั่วโลกเป็นการปฏิวัติครั้งสำคัญและได้รับการประกาศเป็นความก้าวหน้าที่สดใสที่สุดนับตั้งแต่มีการเปิดตัวการใช้ทองแดงในการเชื่อมต่อสัญญาณ นายลาร์รี ซัมนีย์ ซีอีโอและประธานของ SRC กล่าว ทีมงานที่ทุ่มเทจากหลายมหาวิทยาลัยและอุตสาหกรรมได้ผลักดันการวิจัยมานานหลายสิบปีเพื่อเข้าสู่แนวทางที่สำคัญ โดยประกาศเป็นครั้งแรกเกี่ยวกับแผนการใช้ฉนวนธาตุฮาฟเนียมเพื่อการพาณิชย์ในช่วงไม่กี่วันที่ผ่านมา

ในการใช้ประโยชน์จากการวิจัยที่ยาวนานถึง 10 ปีที่ได้รับทุนสนับสนุนจาก SRC เพื่อหาวัสดุมาแทนที่ซิลิคอน ไดอ็อกไซด์ (silicon dioxide) ที่มีการใช้กันอย่างกว้างขวางในเซมิคอนดักเตอร์นั้น บริษัทชิพได้บ่งชี้ในสัปดาห์นี้ว่า ฉนวนที่ผลิตจากธาตุฮาฟเนียมนั้นมีความสำคัญต่อความสำเร็จของบริษัทในการผลิตเซมิคอนดักเตอร์ที่มีขนาดเล็กลงและมีประสิทธิภาพมากขึ้น

เทคโนโลยีที่ใช้ฉนวนที่ผลิตจากธาตุฮาฟเนียมจะทำให้ชั้นของวัสดุดีขึ้นซึ่งจะควบคุมการไหลของกระแสไฟฟ้าผ่านทางทรานซิสเตอร์มากกว่า 2 พันล้านตัวที่ใช้ในเซมิคอนดักเตอร์ในปัจจุบัน โดยการวิจัยที่ได้รับเงินทุนจาก SRC วางรากฐานที่จะช่วยให้อุตสาหกรรมนำฉนวนเหล่านี้ไปใช้ในแผนการที่จะยังคงผลิตชิพอีกอย่างน้อย 3 รุ่น โดยมีขนาดลดลงเหลือ 22 นาโนเมตร (nm) โดยคาดว่าจะมีการผลิตชิพรุ่น 22 nm ภายในปี 2559

ประโยชน์ของเทคนิคใหม่สามารถพัฒนาได้ในหลายแนวทาง โดยทรานซิสเตอร์อาจลดขนาดลงเท่าหนึ่งของชิพ และสามารถเร่งความเร็วขึ้นมากกว่า 20% ขณะที่ลดการรั่วไหลของไฟฟ้าลงประมาณ 80% และลดการใช้ไฟลงได้ครึ่งหนึ่ง

พระอาทิตย์กำลังส่องแสงต่อความร่วมมือของอุตสาหกรรมในปัจจุบัน นายบ็อบ วอลเลซ ศาสตราจารย์ด้านวิศวกรรมไฟฟ้าและฟิสิกส์ของมหาวิทยาลัยเท็กซัสในดัลลัสกล่าว โดยเขาร่วมงานวิจัยธาตุฮาฟเนียมมาตั้งแต่กลางทศวรรษ 1990 เพื่อช่วยในการเอาชนะการแข่งขันระหว่างกฏของมัวร์และอุปสรรคตามธรรมชาติต่อการผลิตชิพที่มีขนาดเล็กลง เมื่ออุตสาหกรรมได้ถูกกดดันอย่างหนักที่สุดให้หาคำตอบต่อไปต่อความท้าทายในการพัฒนาความก้าวหน้าของเซมิคอนดักเตอร์นั้น ธาตุฮาฟเนียมก็ได้เข้ามาช่วยในเรื่องนี้ โดยนับเป็นความสำเร็จที่ยิ่งใหญ่สำหรับนักวิจัยจำนวนมากที่ทุ่มเทให้กับความพยายามร่วมระหว่างมหาวิทยาลัย-อุตสหากรรม

นับตั้งแต่ปี 2538 SRC ได้สนับสนุนการวิจัยของมหาวิทยาลัยเพื่อสำรวจทางเลือกที่เป็นไปได้สำหรับฉนวนซิลิคอน ไดอ็อกไซด์ในโครงสร้างทรานซิสเตอร์ การใช้งานวิจัยด้านวัสดุศาสตร์รวมถึงโครงสร้างต้นแบบเพื่อสำรวจประเด็นการประยุกต์ใช้ในทางปฏิบัตินั้น จะทำให้มีความเข้าใจด้านปัจจัยพื้นฐานที่ดีขึ้นเกี่ยวกับประเภทของฉนวนที่ประกอบด้วยธาตุฮาฟเนียม, เซอร์โคเนียม, แทนทาลัม, อิทเทรียมและธาตุประกอบอื่นๆผ่านทางการประเมินผลอย่างเป็นระบบเพื่อตัดสินใจเลือกวัสดุที่ดีที่สุด

โดยนักวิจัยจำนวนหลายร้อยคนจากมหาวิทยาลัยต่างๆได้เข้าร่วมในความพยายามครั้งนี้ซึ่งได้แก่ มหาวิทยาลัย The University of Texas, North Carolina State, U.C. Berkeley, U.C. Santa Barbara, University of Minnesota, Penn State, Yale, Rutgers และอื่นๆ จากผลของการวิจัยนี้ ภายในปลายทศวรรษ 1990 สารประกอบที่มีธาตุฮาฟเนียมได้กลายเป็นตัวเลือกสำคัญที่จะมาแทนที่ซิลิคอน ไดอ็อกไซด์

SRC จะยังคงเป็นผู้นำในการร่วมมือเพื่อส่งเสริมการวิจัยทางวิชาการด้านวัสดุและกระบวนการที่เกี่ยวกับการผลิตเซมิคอนดักเตอร์